數(shù)據(jù)列表 | BSO 612 CV G |
---|---|
產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | SIPMOS® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | N 和 P 溝道 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 3A,2A |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 120 毫歐 @ 3A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 20µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 15.5nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 340pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-DSO-8 |
其它名稱(chēng) | BSO612CV G-ND BSO612CVGINTR BSO612CVGT BSO612CVGXT BSO612CVT BSO612CVXTINTR BSO612CVXTINTR-ND SP000216307 |