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BSM15GD120DN2,BSM15GD120DN2|Infineon Technologies代理分銷-BSM15GD120DN2原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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BSM15GD120DN2BOSA1
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Infineon Technologies AG

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

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BSM15GD120DN2E3224BOSA1
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Infineon Technologies AG

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

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BSM15GD120DN2
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Infineon Technologies AG

IGBT Modules 1200V 15A 3-PHASE

RoHS: Compliant

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BSM15GD120DN2E3224
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Infineon Technologies AG

IGBT Modules N-CH 1.2KV 25A

RoHS: Compliant

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BSM15GD120DN2BOSA1
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Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 15A nom 145W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm - Trays (Alt: BSM15GD120DN2BOSA1)

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BSM15GD120DN2E3224BOSA1
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Infineon Technologies AG

Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 15A nom 145W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R - Trays (Alt: BSM15GD120DN2E3224BOSA1)

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BSM15GD120DN2|Infineon Technologies
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
BSM15GD120DN2
制造商型號: BSM15GD120DN2
制造商: Infineon Technologies
描述: IGBT 模塊 1200V 15A 3-PHASE
技術(shù)參考: Rohs PDF查詢
庫存狀態(tài): 實時庫存查詢  所在地:深圳原厂原裝現(xiàn)貨
備注: 代理銷售世界各大品牌電子元器件,大量原厂原裝正品現(xiàn)貨
訂購熱線: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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產(chǎn)品信息
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
RoHS: 符合
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
集電極—射極飽和電壓:2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:25 A
柵極—射極漏泄電流:150 nA
功率耗散:145 W
最大工作溫度:+ 150 C
封裝 / 箱體:EconoPACK 2
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
最小工作溫度:- 40 C
安裝風格:Screw
工廠包裝數(shù)量:500

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