BSD214SN L6327,BSD214SN L6327|Infineon Technologies代理分銷-BSD214SNL6327原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | BSD214SN |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | SOT-363 PKG |
| 產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 30/Nov/2011 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 1.5A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 140 毫歐 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 3.7µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 0.8nC @ 5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 143pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-SOT363-6 |
| 其它名稱 | BSD214SN L6327-ND BSD214SN L6327INTR SP000440882 |
