數據列表 | BSC200P03LS G |
---|---|
產品相片 | 8-PowerTDFN |
產品變化通告 | Product Discontinuation 26/Jul/2012 |
標準包裝 | 5,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | OptiMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 20 毫歐 @ 12.5A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 100µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 48.5nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2430pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
供應商器件封裝 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) |
其它名稱 | BSC200P03LS G-ND BSC200P03LS GINTR SP000359668 |