BSC190N12NS3 G,BSC190N12NS3 G|Infineon Technologies代理分銷-BSC190N12NS3G原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | BSC190N12NS3 G |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 8-PowerTDFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 5,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 120V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 8.6A （Ta）， 44A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 19 毫歐 @ 39A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 42µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2300pF @ 60V |
| 功率 - 最大值 | 69W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 其它名稱 | BSC190N12NS3 G-ND BSC190N12NS3 GTR BSC190N12NS3G SP000652752 |
