數(shù)據(jù)列表 | BSC159N10LSF G |
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產(chǎn)品相片 | 8-PowerTDFN |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 5,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | OptiMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 63A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 15.9 毫歐 @ 50A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 72µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2500pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 114W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TDSON-8 |
其它名稱 | BSC159N10LSF G-ND BSC159N10LSFG SP000379614 |