BSC060N10NS3 G,BSC060N10NS3 G|Infineon Technologies代理分銷-BSC060N10NS3G原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | BSC060N10NS3 G BSC060N10NS3 G |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 8-PowerTDFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 5,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 14.9A （Ta）， 90A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 6 毫歐 @ 50A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 90µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 4900pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 其它名稱 | BSC060N10NS3 G-ND BSC060N10NS3 GTR BSC060N10NS3G SP000446584 |
