數(shù)據(jù)列表 | BSC046N02KS G BSC046N02KS G |
---|---|
產(chǎn)品相片 | 8-PowerTDFN |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 5,000 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | OptiMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 19A (Ta), 80A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 4.6 毫歐 @ 50A,4.5V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 110µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 27.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 4100pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 48W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) |
其它名稱(chēng) | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG SP000379666 |