數(shù)據(jù)列表 | BSC009NE2LS |
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產(chǎn)品相片 | 8-PowerTDFN |
標準包裝 | 5,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | OptiMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 41A (Ta), 100A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 0.9 毫歐 @ 30A, 10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 126nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 5800pF @ 12V |
功率 - 最大值 | 96W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TDSON-8 |
其它名稱 | BSC009NE2LS-ND BSC009NE2LSATMA1 SP000893362 |