BSB056N10NN3 G,BSB056N10NN3 G|Infineon Technologies代理分銷-BSB056N10NN3G原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | BSB056N10NN3 G |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | BSF030NE2LQ |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 5,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 9A （Ta）， 83A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 5.6 毫歐 @ 30A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 74nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 5500pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 78W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 3-WDSON |
| 供應(yīng)商器件封裝 | MG-WDSON-2，CanPAK M? |
| 其它名稱 | BSB056N10NN3 G-ND BSB056N10NN3G BSB056N10NN3GXUMA1 SP000604540 |
