BSB012NE2LX,BSB012NE2LX|Infineon Technologies代理分銷-BSB012NE2LX原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | BSB012NE2LX |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | BSF030NE2LQ |
| 標準包裝 | 5,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 37A （Ta）， 170A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 1.2 毫歐 @ 30A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 4900pF @ 12V |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 3-WDSON |
| 供應商器件封裝 | MG-WDSON-2，CanPAK M? |
| 其它名稱 | BSB012NE2LX-ND BSB012NE2LXXUMA1 SP000756344 |
