典型功率增益 | 16.5 dB | |
典型輸入電容值@Vds | 225 pF V @ 28 | |
安裝類型 | 螺絲 | |
寬度 | 12.86mm | |
封裝類型 | CDFM | |
尺寸 | 24.89 x 12.86 x 7.39mm | |
引腳數(shù)目 | 6 | |
最低工作溫度 | -65 °C | |
最大功率耗散 | 130 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 65 V | |
最大漏源電阻值 | 0.3 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 13 A | |
最高工作溫度 | +200 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 射頻 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 四源、單 | |
長度 | 24.89mm | |
高度 | 7.39mm |