典型功率增益 | 13 dB | |
典型輸入電容值@Vds | 5.3 pF V @ 12.5 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 4.93mm | |
封裝類型 | CDIP-SMD | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -65 °C | |
最大功率耗散 | 5.7 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 40 V | |
最大漏源電阻值 | 4 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 1 A | |
最高工作溫度 | +200 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 射頻 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 雙漏極、雙門、四源、單 | |
長度 | 5.94mm |