典型輸入電容值@Vds | 1.7 pF @ 10 V(網(wǎng)關(guān) 2),4 pF @ 10 V(網(wǎng)關(guān) 1) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 1.4mm | |
封裝類型 | SOT | |
尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
引腳數(shù)目 | 4 | |
最低工作溫度 | -65 °C | |
最大功率耗散 | 0.2 W | |
最大柵源電壓 | ±8 V | |
最大漏源電壓 | 20 V | |
最大連續(xù)漏極電流 | 0.04 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 射頻 MOSFET | |
通道模式 | 消耗 | |
通道類型 | N | |
配置 | 雙門、單 | |
長度 | 3mm | |
高度 | 1mm |