典型功率增益 | 36(晶體管 A)dB,37(晶體管 B)dB | |
典型輸入電容值@Vds | 2 pF pF @ 5 V(網(wǎng)關(guān) 1,晶體管 B),2.2 pF pF @ 5 V(網(wǎng)關(guān) 1,晶體管 A),3 pF pF @ 5 V(網(wǎng)關(guān) 2,晶體管 A),3.4 pF pF @ 5 V(網(wǎng)關(guān) 2,晶體管 B) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 1.3mm | |
封裝類型 | SOT-666,SSMini | |
尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
引腳數(shù)目 | 6 | |
最低工作溫度 | -65 °C | |
最大功率耗散 | 0.18 W | |
最大柵源電壓 | 6 V | |
最大漏源電壓 | 6 V | |
最大連續(xù)漏極電流 | 0.03 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 射頻 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 共源、雙 | |
長(zhǎng)度 | 1.7mm | |
高度 | 0.6mm |