典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 120 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 16 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 44 nC V @ 4.5 | |
典型輸入電容值@Vds | 5305 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 5.05mm | |
封裝類型 | DirectFET M4 | |
尺寸 | 6.35 x 5.05 x 0.57mm | |
引腳數(shù)目 | 7 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 62.5 W | |
最大柵源電壓 | ±16 V | |
最大漏源電壓 | 100 V | |
最大漏源電阻值 | 10.5 mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | 100 A | |
最高工作溫度 | +175 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 雙源、四漏極 | |
長(zhǎng)度 | 6.35mm | |
高度 | 0.57mm |