AUIRF7665S2TR1,AUIRF7665S2TR1|International Rectifier代理分銷-AUIRF7665S2TR1原裝現貨,PDF下載
PDF查詢| 數據列表 | AUIRF7665S2TR(1) |
|---|---|
| 產品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 標準包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 4.1A （Ta）， 14.4A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 62 毫歐 @ 8.9A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 25µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 515pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.4W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | DirectFET? 等距 SB |
| 供應商器件封裝 | DIRECTFET SB |
