典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 53 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 14 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 66 nC V @ -10 | |
典型輸入電容值@Vds | 860 pF V @ -25 | |
安裝類型 | 通孔 | |
寬度 | 4.82mm | |
封裝類型 | TO-220AB | |
尺寸 | 10.66 x 4.82 x 16.51mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 110 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | -150 V | |
最大漏源電阻值 | 0.58 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | -13 A | |
最高工作溫度 | +175 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | P | |
長(zhǎng)度 | 10.66mm | |
高度 | 16.51mm |