數(shù)據(jù)列表 | ATP112 |
---|---|
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 25A |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 43 毫歐 @ 13A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 33.5nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1450pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 40W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | ATPAK(2 引線 + 接片) |
供應(yīng)商器件封裝 | ATPAK |