數(shù)據(jù)列表 | APT65GP60L2DQ2(G) |
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產(chǎn)品相片 | TO-264 PKG |
產(chǎn)品目錄繪圖 | TO-264 Front |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 30 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | IGBT - 單路 |
系列 | POWER MOS 7® |
包裝 | 管件 |
IGBT 類(lèi)型 | PT |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,65A |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 198A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 250A |
功率 - 最大值 | 833W |
Switching Energy | 605µJ (開(kāi)), 895µ:J (關(guān)) |
輸入類(lèi)型 | 標(biāo)準(zhǔn) |
Gate Charge | 210nC |
Td (on/off) A 25°C | 30ns/90ns |
Test Condition | 400V, 65A, 5 歐姆, 15V |
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) | - |
封裝/外殼 | TO-264-3,TO-264AA |
安裝類(lèi)型 | 通孔 |
供應(yīng)商器件封裝 | * |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1633 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱(chēng) | APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND |