型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
APT64GA90B2D30 [更多] | Microsemi Corporation | IGBT 900V 117A 500W TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
APT64GA90B [更多] | Microsemi Corporation | IGBT 900V 117A 500W TO247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
APT64GA90B [更多] | Microsemi Corporation | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single RoHS: Compliant | 搜索 |
APT64GA90B2D30 [更多] | Microsemi Corporation | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
數(shù)據(jù)列表 | APT64GA90(B,S) Power Products Catalog |
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產(chǎn)品相片 | TO-247-3 |
產(chǎn)品目錄繪圖 | TO-247 Front |
標準包裝 | 30 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | IGBT - 單路 |
系列 | - |
包裝 | 管件 |
IGBT 類型 | PT |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 900V |
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on) | 3.1V @ 15V,38A |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 117A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 193A |
功率 - 最大值 | 500W |
Switching Energy | 1857µJ (開), 2311µJ (關) |
輸入類型 | 標準 |
Gate Charge | 162nC |
Td (on/off) A 25°C | 18ns/131ns |
Test Condition | 600V, 38A, 4.7 歐姆, 15V |
反向恢復時間 (trr) | - |
封裝/外殼 | TO-247-3 |
安裝類型 | 通孔 |
供應商器件封裝 | TO-247 [B] |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1633 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | APT64GA90BMI APT64GA90BMI-ND |