數(shù)據(jù)列表 | APT35GP120J |
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產(chǎn)品相片 | APT2X60D60J |
產(chǎn)品目錄繪圖 | SOT-227 Top |
標準包裝 | 10 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | IGBT |
系列 | POWER MOS 7® |
IGBT 類型 | PT |
配置 | 單一 |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on) | 3.9V @ 15V,35A |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 64A |
電流 - 集電極截止(最大值) | 250µA |
不同?Vce 時的輸入電容 (Cies) | 3.24nF @ 25V |
功率 - 最大值 | 284W |
輸入 | 標準 |
NTC 熱敏電阻 | 無 |
安裝類型 | 底座安裝 |
封裝/外殼 | ISOTOP |
供應商器件封裝 | ISOTOP? |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1633 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | APT35GP120JMI APT35GP120JMI-ND |