標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 10 |
系列 : | POWER MOS V® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 邏輯電平門(mén) |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 1400V (1.4kV) |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 23A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 500 毫歐 @ 11.5A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 5mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 820nC @ 10V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 13500pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 694W |
安裝類(lèi)型 : | 底座安裝 |
封裝/外殼 : | SOT-227-4,miniBLOC |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | ISOTOP® |
包裝 : | 管件 |