APT10M09B2VFRG,APT10M09B2VFRG|Microsemi Power Products Group代理分銷-APT10M09B2VFRG原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | APT10M09(B2,L)VFR |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | T-MAX Pkg |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 30 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | POWER MOS V® |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 100A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 9 毫歐 @ 50A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 350nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 9875pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 625W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-247-3 變式 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | T-MAX? [B2] |
