標準包裝 : | 30 |
系列 : | POWER MOS V® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 : | 標準型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 1000V (1kV) |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 21A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 500 毫歐 @ 500mA, 10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 2.5mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 500nC @ 10V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 7900pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 520W |
安裝類型 : | 通孔 |
封裝/外殼 : | TO-247-3 變式 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | T-MAX™ [B2] |
包裝 : | 管件 |