數(shù)據(jù)列表 | AON5802B(L) |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 5,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 N 溝道(雙)共漏 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 7.2A |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 19 毫歐 @ 7A,4.5V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 24nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1150pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.6W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-SMD,扁平引線裸焊盤 |
供應(yīng)商器件封裝 | 6-DFN-EP(2x5) |