數(shù)據(jù)列表 | ALD210800/A |
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特色產(chǎn)品 | ADL - Precision N-Channel EPAD MOSFET Array |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | Zero Threshold™ EPAD® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | 4 N 溝道,配對 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 10.6V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 70mA, 50µA |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 25 歐姆 |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 20mV @ 10µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 15pF @ 5V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 16-SOIC |
其它名稱 | 1014-1210 |