數(shù)據(jù)列表 | ALD1108,10E |
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產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | EPAD® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | 2 N 溝道(雙)配對 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 10V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 3mA |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 500 歐姆 @ 5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.01V @ 1µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2.5pF @ 5V |
功率 - 最大值 | 600mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-SOIC |