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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！

產品信息

制造商: Advanced Linear Devices

產品種類: MOSFET

RoHS:  符合

晶體管極性: N-Channel

汲極/源極擊穿電壓: 10 V

閘/源擊穿電壓: 10.6 V

漏極連續(xù)電流: 12 mA

電阻汲極/源極 RDS（導通）: 500 Ohms

配置: Dual

最大工作溫度: + 70 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

正向跨導 gFS（最大值/最小值） : 0.0014 S

最小工作溫度: 0 C

功率耗散: 500 mW

工廠包裝數(shù)量: 50

典型關閉延遲時間: 10 ns

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• 型號: ALD110908ASAL 品牌: Advanced Linear Devices 備注: MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

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