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聲明：圖片僅供參考，請以實(shí)物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

數(shù)據(jù)列表	ALD110802,902
產(chǎn)品相片	8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝	50
類別	分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭	FET - 陣列
系列	Nano Power™ EPAD®
包裝	管件
FET 類型	2 N 溝道（雙）配對
FET 功能	標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)	10.6V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）	12mA， 3mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）	500 歐姆 @ 4.2V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）	220mV @ 1µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)	-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)	2.5pF @ 5V
功率 - 最大值	500mW
安裝類型	表面貼裝
封裝/外殼	8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝	8-SOIC
其它名稱	1014-1035

手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：ALD110902SAL
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詢價

業(yè)務(wù)受理時間：周一至周五（上午9:00～下午18:00），下午17:00之前的訂單當(dāng)日發(fā)貨，17:00之后的訂單次日發(fā)貨（周日、節(jié)假日順延），推薦合作貨運(yùn)物流：順豐快遞�？爝f費(fèi)用：23元。

• *所需產(chǎn)品：
• 型號: ALD110902SAL 品牌: Advanced Linear Devices Inc 備注: MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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