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3SK263-5-TG-E [更多] | ON Semiconductor | RF MOSFET Transistors NCH DUAL GATE MOS FET RoHS: Compliant | 搜索 |
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3SK263-5-TG-E [更多] | ON Semiconductor |
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![]() | ON Semiconductor FET RF 15V 200MHZ CP4 详细描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP 型号:3SK263-5-TG-E 仓库库存编号:3SK263-5-TG-EOSCT-ND 别名:3SK263-5-TG-EOSCT | 无铅 | 搜索 |
典型功率增益 | 18 dB | |
典型輸入電容值@Vds | 2.7 pF V @ 6 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 1.5mm | |
封裝類型 | CP 4 | |
尺寸 | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
引腳數(shù)目 | 4 | |
最大功率耗散 | 200 mW | |
最大柵源電壓 | ±8 V | |
最大漏源電壓 | 15 V | |
最大連續(xù)漏極電流 | 30 mA | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 放大器 | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N | |
配置 | 雙門、單 | |
長度 | 2.9mm | |
高度 | 1.1mm |