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2SK3878(F,2SK3878(F|Toshiba代理分銷-2SK3878F原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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MOSFET N-Ch FET RDS 1.0 Ohm IDSS 100uA VDS 720V

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Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

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Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

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Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

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Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN - Bulk (Alt: 2SK3878(F))

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MOSFET, N CH, 9A, 900V, TO3P

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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,9A I(D),SC-65

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2SK3878(F
制造商型號： 2SK3878(F
制造商： Toshiba
描述： MOSFET，N溝道，900V，9A，TO-3PN
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢
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產(chǎn)品信息
典型柵極電荷@Vgs60 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds2200 pF V @ 25
安裝類型通孔
寬度4.8mm
封裝類型TO-3PN
尺寸15.9 x 4.8 x 19mm
引腳數(shù)目3
最低工作溫度-55 °C
最大功率耗散150000 mW
最大柵源電壓±30 V
最大漏源電壓900 V
最大漏源電阻值1.3 Ω
最大連續(xù)漏極電流9 A
最高工作溫度+150 °C
每片芯片元件數(shù)目1
類別功率 MOSFET
通道模式增強
通道類型N
配置單
長度15.9mm
高度19mm

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