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2SK3399(Q) [更多] | Toshiba America Electronic Components | Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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2SK3399(Q) [更多] | Toshiba America Electronic Components |
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數(shù)據(jù)列表 | 2SK3399 Mosfets Prod Guide |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 散裝 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 600V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 10A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 750 毫歐 @ 5A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1750pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 100W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3(SMT)標(biāo)片 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220FL |