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2SK2719(F) [更多] | Toshiba America Electronic Components | Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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![]() | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN 详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 125W(Tc) TO-3P(N) 型号:2SK2719(F) 仓库库存编号:2SK2719(F)-ND | 无铅 | 搜索 |
典型關斷延遲時間 | 110 ns | |
典型接通延遲時間 | 55 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 25 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 750 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 通孔 | |
寬度 | 20mm | |
封裝類型 | 2-16C1B,SC-65 | |
尺寸 | 15.9 X 20 4.8mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最大功率耗散 | 125 W | |
最大柵源電壓 | ±30 V | |
最大漏源電壓 | 900 V | |
最大漏源電阻值 | 4.3 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 3 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 斬波穩(wěn)壓器、直流/直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器 | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N | |
配置 | 單 | |
長度 | 15.9mm | |
高度 | 4.8mm |