典型柵極電荷@Vgs | 65 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 2000 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 通孔 | |
寬度 | 4.8mm | |
封裝類型 | TO-3P W,TO-3PN | |
尺寸 | 15.9 x 4.8 x 19mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55°C | |
最大功率耗散 | 150000 mW | |
最大柵源電壓 | ±30 V | |
最大漏源電壓 | 1000 V | |
最大漏源電阻值 | 1.7 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 8 A | |
最高工作溫度 | +150°C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N | |
配置 | 單 | |
長度 | 15.9mm | |
高度 | 19mm |