數(shù)據(jù)列表 | 2SJ412 Mosfets Prod Guide |
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產(chǎn)品相片 | 2SJ412(Q) |
產(chǎn)品目錄繪圖 | 2SJ412, 2SK2401 Bottom 2SJ412 Front |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 16A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 210 毫歐 @ 6A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1100pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 60W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3(SMT)標(biāo)片 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220FL |
其它名稱 | 2SJ412Q |