數(shù)據(jù)列表 | 2SB1730 |
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產(chǎn)品相片 | TUMT3 |
產(chǎn)品目錄繪圖 | TSMT-3 Package Top |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 單路 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
晶體管類型 | PNP |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 2A |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 12V |
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值) | 180mV @ 50mA,1A |
電流 - 集電極截止(最大值) | - |
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 270 @ 200mA,2V |
功率 - 最大值 | 400mW |
頻率 - 躍遷 | 360MHz |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 3-SMD,扁平引線 |
供應(yīng)商器件封裝 | TUMT3 |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1646 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | 2SB1730TLTR |