數(shù)據(jù)列表 | 2N7002K Datasheet |
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產(chǎn)品相片 | SOT23 |
PCN Design/Specification | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 3/May/2011 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 380mA |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 2 歐姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 0.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 50pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 370mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3 |
其它名稱 | 2N7002K-7-ND 2N7002K-7DITR 2N7002K7 |