數(shù)據(jù)列表 | 2N7000 Datasheet |
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產(chǎn)品相片 | TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead |
標準包裝 | 2,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | TrenchMOS™ |
包裝 | 帶盒(TB) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 300mA (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 5 歐姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 40pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 830mW |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 |
供應商器件封裝 | TO-92-3 |
其它名稱 | 2N7000 AMO 2N7000 AMO-ND 934003460126 |