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晶體管 IGBT模塊 1200V 200A
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晶體管極性:
N溝道
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集電極直流電流:
300A
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飽和電壓, Vce sat 最大:
2.6V
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功耗, Pd:
1.5kW
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電壓, Vceo:
1.2kV
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封裝類(lèi)型:
Module
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針腳數(shù):
4
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上升時(shí)間:
600ns
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下降時(shí)間:
300ns
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功耗, Pd:
1.5kW
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功耗, Pd:
1.5kW
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功耗最大值:
1.3kW
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外寬:
108mm
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外部深度:
62mm
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外部長(zhǎng)度/高度:
35mm
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封裝/箱盒:
M127
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工作溫度范圍:
-
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晶體管數(shù):
1
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晶體管類(lèi)型:
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊
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最大連續(xù)電流, Ic:
300A
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模塊配置:
單一
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溫度 @ 電流測(cè)量:
25°C
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滿(mǎn)功率溫度:
25°C
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電壓, Vces:
1.2kV
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電流, Ic @ Vce飽和:
200A
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電流, Icm 脈沖:
600A
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結(jié)溫, Tj 最大值:
150°C
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表面安裝器件:
螺絲
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重量:
0.4kg
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隔離電壓:
2.5kV
產(chǎn)地：
GB
United Kingdom
手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：
1MBI200S-120
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