如何給密封式電位器進(jìn)行分類?
單相至四相PWM穩(wěn)壓器（VR）控制器提供一個(gè)精確的核心電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)。兩個(gè)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器集成的布局增加了靈活性，并減少了外部元件的數(shù)量，在多階段部分。一個(gè)單相PWM控制器集成的驅(qū)動(dòng)程序提供了一個(gè)處理器的北橋部分的第二個(gè)精密電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這單片，雙控制器集成驅(qū)動(dòng)器解決方案提供了一個(gè)成本和節(jié)省空間的電源密封式電位器,分類管理解決方案。
受益于負(fù)載線路編程，以減少大容量輸出電容器的應(yīng)用，ISL6328A具有溫度補(bǔ)償?shù)妮敵鲭妷合陆�。多階段的部分還包括先進(jìn)的控制，以獲得最佳的瞬態(tài)響應(yīng)，加載應(yīng)用程序和去除密封式電位器,分類循環(huán)功能。這些功能之一是高度準(zhǔn)確，充分差，連續(xù)DCR電流負(fù)載線路編程和通道電流均衡的感應(yīng)。雙邊緣調(diào)制是另一種獨(dú)特的功能，允許更快的初步反應(yīng)高di/dt負(fù)載瞬變。
ISL6328A支持下降相數(shù)，當(dāng)PSI_L位設(shè)置省電模式。
砷化鎵（GaAs）放大器已普遍密封式電位器,分類采用微波功率發(fā)射機(jī)。然而，近年來，氮化鎵（GaN）放大器，已成為越來越受歡迎，由于他們的高擊穿電壓和功率密度，高飽和電子速度和能力，以促進(jìn)節(jié)能和功率發(fā)射設(shè)備的減員。三菱電機(jī)首先在2010年3月放大器開始樣品供貨的高輸出的GaNHEMT的C波段空間應(yīng)用。
高輸出功率，效率和高電壓操作
100W或50W輸出功率
型號(hào)/規(guī)格 RV24YN20SB504 品牌/商標(biāo) TOCOS
主要用途 無鉛環(huán)保型 環(huán)保類別 精密電子儀器儀表
標(biāo)稱阻值 Ω 阻值變化規(guī)律
外形尺寸 mm
超過43％的功率附加效率
40V高電壓操作
低失真
輸出功率會(huì)議三階間調(diào)制調(diào)（IM3）=-25dBc降至46dBm
內(nèi)部阻抗相匹配
主要特點(diǎn)：
·通過集成的多相位密封式電位器,分類電源轉(zhuǎn)換處理器核心電壓
·配置靈活性
·1或2相操作與內(nèi)部驅(qū)動(dòng)
·3或4個(gè)階段與外部PWM驅(qū)動(dòng)器的操作
·PSI_L支持
·為提高效率，密封式電位器,分類在輕負(fù)載相位脫落
·在PSI模式的二極管仿真
·柵極電壓優(yōu)化
·精密的核心電壓調(diào)節(jié)
·差動(dòng)式電壓遙感
·±0.6％的系統(tǒng)精度過熱
·優(yōu)化處理器核心電壓的瞬態(tài)響應(yīng)
