英特爾和Micron稱下一代25納米NAND存儲芯片取得突破
據(jù)國內(nèi)傳媒報道，英特爾和Micron已經(jīng)初階揭曉下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高功用，該芯片應(yīng)用了三層存儲單位技術(shù)。
首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶出售，用于SD卡存儲配備。該芯片在每一個存儲單位中糊口三位新聞，而非像激進芯片那樣糊口一到兩位新聞，英特爾聲稱，這種芯片是目前市場上最有功用的。
英特爾副總裁及NAND開荒組主管Tom Rampone聲稱25納米已是業(yè)界最小的尺寸，在開荒完成25納米程度的三層存儲單位之后，公司還將持續(xù)為用戶摸索和發(fā)展更低級的產(chǎn)品。公司貪圖把持IMFT的方案和制造業(yè)位置來為用戶供應(yīng)更高性價比的產(chǎn)品。
目前IMFT正與三星以及其他公司搶奪老不日本日趨豐富的NAND市場。隨著挪動存儲市場的添加以及干部關(guān)于固態(tài)硬盤樂趣的增加，芯片廠商正在為獲得市場上最好的硬件而合作。
Tom還說他們正在致力于使8GB的三層存儲單位NAND閃存配備合乎最終產(chǎn)品方案。
