光電電位器的優(yōu)缼點(diǎn)
光電電位器是一種非接觸型電位器。它用光束接替通常電位器上的活動(dòng)觸點(diǎn)--電刷。圖3-83是一種電阻型光電電位器的原理布局圖。電阻型光電電位器主要由電阻體。光電導(dǎo)層和導(dǎo)電電極等組成。光電電位器的出制造進(jìn)程是：先在基體上堆積一層硫化鎘或硒化鎘的光導(dǎo)電層，往后在我導(dǎo)電層上再堆積一條電阻體和一條導(dǎo)電電極。在電阻體和導(dǎo)電電極之間留有一個(gè)狹隘的間隙。素日無光照時(shí)。電阻體和導(dǎo)電電極之間因?yàn)楣怆妼?dǎo)層阻值很大而呈絕緣形狀。當(dāng)光束映射部位和導(dǎo)電電極導(dǎo)通，因而光電電位器的輸入端便有電壓輸入，輸入電壓的大小和光束位移映射到的地位有關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)了將光束位移換為電壓輸入，輸入電壓的大小和光束位移映射到的地位有關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)了將光束位移換為電壓旌旗燈號(hào)輸入。
除了電阻型光電電位器外，另有一種結(jié)型光電電位器，它是把持由半導(dǎo)體制成的二極管接替光敏資料制成的。在一塊高阻硅單晶片上，用星散，內(nèi)涵，光刻等技藝組成兩條反型區(qū)，它們都同基片PN結(jié)。此中一條為電阻帶，在它的兩端施加電壓；另一條堆積導(dǎo)電層作為集流電極。當(dāng)無光照時(shí)，兩個(gè)反型區(qū)均處于反偏形狀，阻值很大呈絕緣形狀；當(dāng)有光照映射在電阻帶和集流電極間時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)對(duì)基片有泄電流，在負(fù)載上可獲得輸入電壓。結(jié)型光電電位器可通過光刻管制條型區(qū)的寬度，以得赴任別的輸入本性。
光電電位器最大的優(yōu)點(diǎn)是它屬于非接觸型電位器，不存在磨損問題，也不存在職何辯說力矩，從而有效地前進(jìn)了電位器的精度，鑒別力，可靠性及使用壽命。 上還的這些所長是另外電位器所無法比擬的，因而在不少重要場合都獲得了應(yīng)用。
光電電位器的不敷之處是阻值范圍不大，溫度第數(shù)較大。電阻型光電電位器的溫度系數(shù)在-22℃~+70℃范圍內(nèi)便高達(dá)0.001~0.01/℃。
