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IGBT模塊,IGBT模塊的分類(lèi),IGBT模塊參數(shù)指標(biāo)等
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IGBT模塊,IGBT模塊的分類(lèi),IGBT模塊參數(shù)指標(biāo)等  2011/10/3

目錄

  • IGBT模塊的選擇
  • IGBT模塊主要用途
  • IGBT模塊使用注意事項(xiàng)
  • IGBT模塊保管時(shí)的注意事項(xiàng)
IGBT模塊

IGBT模塊的選擇

  •   IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開(kāi)關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),由于開(kāi)關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時(shí)應(yīng)該降等使用。

IGBT模塊主要用途

  •   IGBT模塊是先進(jìn)的第三代功率模塊,工作頻率1-20KHZ,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即DC/AC變換中。例電動(dòng)汽車(chē)、伺服控制器、UPS、開(kāi)關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車(chē)等。問(wèn)世迄今有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、MOSFET,雙極型達(dá)林頓管等,目今功率可高達(dá)1MW的低頻應(yīng)用中,單個(gè)元件電壓可達(dá)4.0KV(PT結(jié)構(gòu))— 6.5KV(NPT結(jié)構(gòu)),電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊。

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