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高壓陶瓷電容,高壓陶瓷電容的分類,高壓陶瓷電容參數(shù)指標等
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高壓陶瓷電容,高壓陶瓷電容的分類,高壓陶瓷電容參數(shù)指標等  2011/10/3

目錄

  • 高壓陶瓷電容的介質介紹
  • 高壓陶瓷電容的原理
  • 高壓陶瓷電容的介質特性參數(shù)
  • 高壓陶瓷電容的功能特點
高壓陶瓷電容

高壓陶瓷電容的介質介紹

  •   COG/NPO:   屬1類陶介質,電氣性能最穩(wěn)定,基本上不隨溫度、時間、電壓的改變而改變,適用于穩(wěn)定性、可靠性要求比較嚴格的場合,由于電氣性能穩(wěn)定,高頻特性好,可很好的工作在高頻、特高頻、甚高頻頻段。

      X7R:       屬2類陶介質,電氣性能較穩(wěn)定,隨溫度、時間、電壓的變化,其特性變化并不明顯,適用于要求較高的耦合、旁路、濾波電路及10MHZ的中頻場合。

      Y5V:       屬3類陶介質,具有很高的介電系數(shù),常用于生產小體積、大容量的電容,其容量隨溫度改變比較明顯,抗惡劣環(huán)境能力差,仍用于要求不高的濾波、旁路等電路場合。

高壓陶瓷電容的原理

  •   用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質,并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

高壓陶瓷電容的介質特性參數(shù)

  •   項  目COG/NPOX7RY5V

      溫度特性0+[_]30PPM/℃+[_]15[%]+30[%]--82[%]

      環(huán)境溫度-55℃--+125℃-55℃--+125℃-30℃--+85℃

      精度范圍C、D、F、G、J、KK、MZ

      絕緣電阻IR≥10GΩ≥4GΩ≥4GΩ

      損耗高校正切≥30PF:≤1/100000 ≤30PF:Q=400+20*C50V≤2.5[%];25≤3[%] 16V≤3.5[%];10V≤5[%]50V≤3.5[%];25≤5[%] 16V≤7[%];10V≤10[%]

      抗電強度2.5倍VDCW2.5倍VDCW2.5倍VDCW

      測試條件25℃、1MHZ、1V25℃、1KHZ、1V25℃、1KHZ、03V

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