TFT—LCD,TFT—LCD的分類,TFT—LCD參數(shù)指標等
�。�1）大面積：九十年代初第一代大面積玻璃基板（300mm×400mm）TFT-LCD生產(chǎn)線投產(chǎn)，到2000年上半年玻璃基板的面積已經(jīng)擴大到了680mm×880mm），而預計在09年啟動的日本SHARP在大阪投資的10代線玻璃基板尺寸達到了2880mmX3080mm,該尺寸玻璃面板可裁切15片42寸的液晶電視。
�。�2）高集成度：用于液晶投影的1.3英寸TFT芯片的分辨率為XGA含有百萬個象素。分辨率為SXGA（1280×1024）的16.1英寸的TFT陣列非晶體硅的膜厚只有50nm，以及TAB ON GLASS和SYSTEM ON GLASS技術(shù)，其IC的集成度，對設(shè)備和供應技術(shù)的要求，技術(shù)難度都超過傳統(tǒng)的LSI。
�。�3）功能強大：TFT最早作為矩陣選址電路改善了液晶的光閥特性。對于高分辨率顯示器，通過0-6V范圍的電壓調(diào)節(jié)（其典型值0.2到4V），實現(xiàn)了對象元的精確控制，從而使LCD實現(xiàn)高質(zhì)量的高分辨率顯示成為可能。TFT-LCD是人類歷史上第一種在顯示質(zhì)量上超過CRT的平板顯示器�，F(xiàn)在人們開始把驅(qū)動IC集成到玻璃基板上，整個TFT的功能將更強大，這是傳統(tǒng)的大規(guī)模半導體集成電路所無法比擬的。
（4）低成本：玻璃基板和塑料基板從根本上解決了大規(guī)模半導體集成電路的成本問題，為大規(guī)模半導體集成電路的應用開拓了廣闊的應用空間。
�。�5）工藝靈活：除了采用濺射、CVD（化學氣相沉積）MCVD（分子化學氣相沉積）等傳統(tǒng)工藝成膜以外，激光退火技術(shù)也開始應用，既可以制作非晶膜、多晶膜，也可以制造單晶膜。不僅可以制作硅膜，也可以制作其他的Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族半導體薄膜。
�。�6）應用領(lǐng)域廣泛，以TFT技術(shù)為基礎(chǔ)的液晶平板顯示器是信息社會的支柱產(chǎn)業(yè)，也技術(shù)可應用到正在迅速成長中的薄膜晶體管有機電致發(fā)光(TFT-OLED)平板顯示器也在迅速的成長中。
