smd,smd的分類,smd參數(shù)指標(biāo)等
1、有源電子元件：在模擬或數(shù)字電路中，可以自己控制電壓和電流，以產(chǎn)生增益或開(kāi)關(guān)作用，即對(duì)施加信號(hào)有反應(yīng)，可以改變自己的基本特性。無(wú)源電子元件：當(dāng)施以電信號(hào)時(shí)不改變本身特性，即提供簡(jiǎn)單的、可重復(fù)的反應(yīng)。
2、連接件：提供機(jī)械與電氣連接/斷開(kāi)，由連接插頭和插座組成，將電纜、支架、機(jī)箱或其它PCB與PCB連接起來(lái)；可是與板的實(shí)際連接必須是通過(guò)表面貼裝型接觸。
3、異型電子元件：其幾何形狀因素是奇特的，但不必是獨(dú)特的。因此必須用手工貼裝，其外殼(與其基本功能成對(duì)比)形狀是不標(biāo)準(zhǔn)的例如：許多變壓器、混合電路結(jié)構(gòu)、風(fēng)扇、機(jī)械開(kāi)關(guān)塊，等。
（1）疊層工藝技術(shù)
以前連通方式主要有三種，即：機(jī)械穿孔工藝(干法)、交迭印刷工藝（濕法）、內(nèi)連接工藝(濕法），然而這三種工藝技術(shù)都有不足之處，都難以有效地制作尺寸更小、更精細(xì)的片式元件。
現(xiàn)在對(duì)機(jī)械穿孔連接工藝做了很大改進(jìn)，采用激光穿孔、周密印刷、自動(dòng)微孔注漿技術(shù)，使孔徑縮減到50μm，位置精度±20μm。印刷線寬、線距為50μm，位置精度±10μm。利用這種先進(jìn)工藝技術(shù)可以制作尺寸更小、更精細(xì)的片式元件和LTCC無(wú)源集成元件。
�。�2）超薄介質(zhì)層與納米粉料技術(shù)
現(xiàn)在的片式多層陶瓷電容器（MLCC）電容量已提高到100μf 并己實(shí)用化。之所以如此，是由于得到了超薄介質(zhì)層與納米粉料技術(shù)的強(qiáng)力支持。其介質(zhì)層既薄又均勻，表明了目前超薄介質(zhì)層技術(shù)的發(fā)展水平。為了使陶瓷介質(zhì)層薄到1μm上下，陶瓷粉料的顆粒度必須為納米級(jí)；為了將層數(shù)增加到幾百層，從成本考慮，必須采用金屬電極替代Ag/Pd。這樣開(kāi)發(fā)抗還原納米陶瓷粉料就成了關(guān)鍵問(wèn)題。目前，在這方面國(guó)內(nèi)外已經(jīng)有了飛躍發(fā)展。
�。�3）薄膜技術(shù)
