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電池保護(hù)板,電池保護(hù)板的分類(lèi),電池保護(hù)板參數(shù)指標(biāo)等
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電池保護(hù)板,電池保護(hù)板的分類(lèi),電池保護(hù)板參數(shù)指標(biāo)等  2011/10/3

目錄

  • 電池保護(hù)板的端口介紹
  • 電池保護(hù)板的工作過(guò)程
  • 電池保護(hù)板的注意事項(xiàng)
電池保護(hù)板

電池保護(hù)板的端口介紹

  •   VDD是IC電源正極,VSS是電源負(fù)極,V-是過(guò)流/短路檢測(cè)端,Dout是放電保護(hù)執(zhí)行端,Cout是充電保護(hù)執(zhí)行端.2,保護(hù)板端口說(shuō)明:B+,B-分別是接電芯正極,負(fù)極;P+,P-分別是保護(hù)板輸出的正極,負(fù)極;T為溫度電阻(NTC)端口,一般需要與用電器的MCU配合產(chǎn)生保護(hù)動(dòng)作,后面會(huì)介紹,這個(gè)端口有時(shí)也標(biāo)為ID,意即身份識(shí)別端口,這時(shí),R3一般為固定阻值的電阻,讓用電器的CPU辨別是否為指定的電池。

電池保護(hù)板的工作過(guò)程

  •   1,激活保護(hù)板的方法:當(dāng)保護(hù)板P+,P-沒(méi)有輸出處于保護(hù)狀態(tài),可以短路B-,P-來(lái)激活保護(hù)板,這時(shí),Dout,Cout均會(huì)處于低電平(保護(hù)IC此兩端口是高電平保護(hù),低電平常態(tài))狀態(tài)打開(kāi)兩個(gè)MOS開(kāi)關(guān).

      2,充電:P+,P-分別接充電器的正負(fù)極,充電電流經(jīng)過(guò)兩個(gè)MOS對(duì)電芯進(jìn)行充電.這時(shí),IC的VDD,VSS既是電源端,也是電芯電壓檢測(cè)端(經(jīng)R1).隨著充電的進(jìn)行,電芯電壓逐漸升高,當(dāng)升高到保護(hù)IC門(mén)限電壓(一般是4.30V,通常稱(chēng)為過(guò)充保護(hù)電壓)時(shí),Cout隨即輸出高電平將對(duì)應(yīng)那個(gè)MOS關(guān)斷,充電回路也被斷開(kāi).過(guò)充保護(hù)后,電芯電壓會(huì)下降,當(dāng)下降到IC門(mén)限電壓(一般為4.10V,通常稱(chēng)為過(guò)充保護(hù)恢復(fù)電壓)時(shí),Cout恢復(fù)低電平狀態(tài)打開(kāi)MOS開(kāi)關(guān).

      3,放電:同樣,在電池放電時(shí),IC的VDD,VSS也會(huì)對(duì)電芯電壓檢測(cè),當(dāng)電芯電壓下降到IC門(mén)限電壓(一般是2.40V,通常稱(chēng)為過(guò)放保護(hù)電壓)時(shí),Dout隨即輸出高電平將對(duì)應(yīng)那個(gè)MOS關(guān)斷,放電回路被斷開(kāi).過(guò)放保護(hù)后,電芯電壓會(huì)上升,當(dāng)上升到IC門(mén)限電壓(一般為3.00V,通常稱(chēng)為過(guò)放保護(hù)恢復(fù)電壓)時(shí),Dout恢復(fù)低電平狀態(tài)打開(kāi)MOS開(kāi)關(guān).

      4,過(guò)流,短路:當(dāng)放電過(guò)程中主回路電流大時(shí)(具體多少要參考保護(hù)板設(shè)計(jì)參數(shù)),由于MOS飽和導(dǎo)通也存在內(nèi)阻,所以電流在流經(jīng)B-,P-之間時(shí)MOS兩端會(huì)產(chǎn)生壓降,保護(hù)IC的V-和VSS(經(jīng)過(guò)R2)會(huì)隨時(shí)檢測(cè)MOS兩端的電壓,當(dāng)電壓上升到IC保護(hù)門(mén)限(一般為0.15V,稱(chēng)為放電過(guò)流檢測(cè)電壓)時(shí),Dout馬上輸出高電平將對(duì)應(yīng)那個(gè)MOS關(guān)斷,放電回路被斷開(kāi)

電池保護(hù)板的注意事項(xiàng)

  •   1、輸出負(fù)極、充電負(fù)極、電池負(fù)極、必須按順序接線,不要反接線路以免燒壞電路元件

      2、充電線,放電線,電池負(fù)極。盡量用粗線,否則會(huì)通不過(guò)大電流,會(huì)起到過(guò)流保護(hù),造成電路不工作

      3、電池正極輸出不用經(jīng)過(guò)保護(hù)電路,直接連接輸出

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