硅光電池結(jié)構(gòu)如圖1所示。利用硅片制成PN結(jié),在P型層上貼一柵形電極,N型層上鍍背電極作為負(fù)極。電池表面有一層增透膜,以減少光的反射。由于多數(shù)載流子的擴(kuò)散,在N型與P型層間形成阻擋層,有一由N型層指向P型層的電場(chǎng)阻止多數(shù)載流子的擴(kuò)散,但是這個(gè)電場(chǎng)卻能幫助少數(shù)載流子通過(guò)。當(dāng)有光照射時(shí),半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生正負(fù)電子對(duì),這樣P型層中的電子擴(kuò)散到PN結(jié)附近被電場(chǎng)拉向N型層,N型層中的空穴擴(kuò)散到PN結(jié)附近被阻擋層拉向P區(qū),因此正負(fù)電極間產(chǎn)生電流;如停止光照,則少數(shù)載流子沒(méi)有來(lái)源,電流就會(huì)停止。硅光電池的光譜靈敏度最大值在可見(jiàn)光紅光附近(800nm),截止波長(zhǎng)為1100nm。圖2表示硅光電池靈敏度的相對(duì)值。
圖1 硅光電池構(gòu)造
圖2 硅光電池的光譜靈敏度
使用時(shí)注意,硅光電池質(zhì)脆,不可用力按壓。不要拉動(dòng)電極引線,以免脫落。電池表面勿用手摸。如需清理表面,可用軟毛刷或酒精棉,防止損傷增透膜。