瞬態(tài)抑制二極管,瞬態(tài)抑制二極管的分類,瞬態(tài)抑制二極管參數(shù)指標(biāo)等
Vrwm可承受的反向電壓：在此階段瞬態(tài)電壓抑制二極管為不導(dǎo)通之狀態(tài)。Vrwm必需大於電路的正常工作電壓, 否則瞬態(tài)電壓抑制二極管會(huì)不斷截止回路電壓。但Vrwm需要盡量與被保護(hù)回路的正常工作電壓接近,這樣才不會(huì)在瞬態(tài)電壓抑制二極管工作以前使整個(gè)迥路面對(duì)過(guò)壓威脅。
Vbr反向崩潰電壓：當(dāng)瞬態(tài)電壓超過(guò)Vbr,瞬態(tài)電壓抑制二極管便產(chǎn)生崩潰把瞬態(tài)電壓抑制在某個(gè)水平,提供瞬態(tài)電流一個(gè)超低電阻通路,讓瞬態(tài)電流透過(guò)瞬態(tài)電壓抑制二極管被引開(kāi),避開(kāi)被保護(hù)元件。
Ir反向漏電電流：瞬態(tài)電壓抑制二極管是以反向電流的方式連接在線路上,一般都會(huì)有10-100A的反向漏電電流。
Vc瞬態(tài)電壓抑制二極管的抑制電壓：Vc是在瞬態(tài)電壓沖擊時(shí),例如靜電,在截止?fàn)顟B(tài)所提供的電壓。Vc也是用來(lái)測(cè)定瞬態(tài)電壓抑制二極管在抑制瞬態(tài)電壓時(shí)的性能。Vc不能大於被保護(hù)迥路的可承受極限電壓,否則元件面臨被損壞。Vc通常都是越小越好。
TVS瞬態(tài)電壓抑制二極管的電容值：對(duì)於數(shù)據(jù)/ 訊號(hào)頻率越高的回路,瞬態(tài)電壓抑制二極管的電容值對(duì)電路的干擾越大。這會(huì)形成噪音或衰減訊號(hào)強(qiáng)度。高頻迥路或高傳輸如USB2.0,1394,需要選擇低電容值瞬態(tài)電壓抑制二極管,電容值不大於10pF。而對(duì)電容值要求不高的回路,電容值可高於100pF。
1、確定被保護(hù)電路的最大直流或連續(xù)工作電壓、電路的額定標(biāo)準(zhǔn)電壓和“高端”容限。
2、TVS額定反向關(guān)斷VWM應(yīng)大于或等于被保護(hù)電路的最大工作電壓。若選用的VWM太低，器件可能進(jìn)入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作。串行連接分電壓，并行連接分電流。
